EMMI侦测的到亮点、热点(HotSpot)情况；原来就会有的亮点、热点(HotSpot)饱和区操作中的BJT或MOS(SaturatedOrActiveBipolarTransistors/SaturatedMOS)动态式CMOS(DynamicCMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃(ForwardBiasedDiodes/ReverseBiasedDiodesBreakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(OhmicShort/MetalShort)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(BuriedJuncti)金属线底下的漏电区(LeakageSitesUnderMetal)微光显微镜侦测得到亮点之情况：会产生亮点的缺陷-漏电结（JunctionLeakage）;接触毛刺（Contactspiking）;（热电子效应）Hotelectr;闩锁效应（Latch-Up）;氧化层漏电（Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent)）;多晶硅晶须（Poly-siliconfilaments）;衬底损伤（Substratedamage）;（物理损伤）Mechanicaldamage等。原来就会有的亮点-Saturated/Activebipolartransistors;-SaturatedMOS/DynamicCMOS;Forwardbiaseddiodes/Reverse；biaseddiodes(breakdown)等。EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，包括闸极氧化层缺陷(Gateoxidedefects)、静电放电破坏(ESDFailure)、闩锁效应(LatchUp)、漏电(Leakage)、接面漏电(JunctionLeakage)、顺向偏压(ForwardBias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，自动烧录，找热点(HotSpot或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。自动烧录报价-自动烧录-特斯特电子科技公司由苏州特斯特电子科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。苏州特斯特电子科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为分析仪器具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)