陶瓷靶材ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，纯银靶材技术，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，河南纯银靶材，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，纯银靶材回收，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。精铝经过区熔提纯，只能达到5的高纯铝，但如使用在有机物电解液中进行电解，纯银靶材工艺，可将铝提纯到99.9995%，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于7的纯度，杂质总含量制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6的水平。河南纯银靶材-沈阳东创【环保节能】-纯银靶材回收由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。“贵金属材料”选择沈阳东创贵金属材料有限公司，公司位于：沈阳市沈河区文化东路89号，多年来，东创贵金属坚持为客户提供好的服务，联系人：赵总。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。东创贵金属期待成为您的长期合作伙伴！)