并不是一个自开启电源电路、一个光电耦合器开启电源电路就能处理好的难题。如今销售市场上可控硅开关、动态补偿开关等全是走的简单化电源电路，追求的是成本低，关键投切30kvar尺寸的电容器。这类投切开关，对电容器的使用寿命依然危害比较严重，电容器的摘除过电压达到2000V，可控硅开关品质不容易开朗，设备故障率很高。计划方案可控硅投切电容器，涉及到电力电子技术的高精密过零技术性，投切全过程中还需要浪涌电压、过电压的难题。高精密过零、动态性充放电、暂态维护这三个技术性困难不太好，设备故障率仍会持续上升。处理好这三个难题，电容器会遭受非常好的维护，比别的投切方法会增加一倍的使用寿命。处理不太好这三个难点，快速熔断器就撤销不上，公司客户经常拆换快速熔断器，花费是承受不住的。电容器在原理上相当于产生容性无功电流的发电机。将它连接到需要无功的补偿装置或设备上，变压器和输出线的负荷降低，从而输出有功能力增加。在输出一定有功功率的情况下，供电系统的损耗降低。比较起来电容器是减轻变压器、供电系统和工业配电负荷的*简便、*经济的方法。因此，电容器作为电力系统的无功补偿势在必行。二、KYLBC自愈式低压并联电力电容器的结构特点多年来，低压侧的无功补偿，大量采用油浸纸介电容器。这种电容器体积大、损耗高、成本高，而且、鼓肚、漏油现象严重，已远远不能适应电网发展的要求。电容器回收一般都能够当做一个RLC串连实体模型。在某一頻率，会产生串联谐振，这时电容的特性阻抗就相当于其ESR。假如看电容的頻率特性阻抗趋势图，便会发觉一般全是一个V形的曲线图。实际曲线图与电容的物质相关，因此挑选旁通电容还需要考虑到电容的物质，一个较为商业保险的方式便是多并好多个电容。去耦电容在集成电路开关电源和地中间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁通掉该元器件的高频率噪声。数字电路设计中典型性的去耦电容值是0.1μF。这一电容的遍布电感器的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的遍布电感器，它的并行处理共振频率大概在7MHz上下，换句话说，针对10MHz下列的噪声有不错的去耦实际效果，对40MHz之上的噪声基本上失灵。1μF、10μF的电容，并行处理共振频率在20MHz之上，除去高频率噪声的实际效果好些一些。每10片上下集成电路得加一片蓄电池充电电容，或一个蓄能电容，可选10μF上下。)