溅射靶材的要求较传统材料行业高，纯金靶材加工，一般要求如，尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸与缺陷控制；较高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、电阻值、晶粒尺寸均匀性、成份与组织均匀性、异物（氧化物）含量与尺寸、导磁率、超高密度与超细晶粒等等。磁控溅射镀膜是一种新型的物相镀膜方式，就是用电子系统把电子发射并聚焦在被镀的材料上，使其被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离材料飞向基片淀积成膜。这种被镀的材料就叫溅射靶材。溅射靶材有金属，合金，陶瓷化合物等。精铝经过区熔提纯，只能达到5的高纯铝，纯金靶材，但如使用在有机物电解液中进行电解，可将铝提纯到99.9995%，纯金靶材回收，并可除去有不利分配系数的杂质，然后进行区熔提纯数次，就能达到接近于7的纯度，纯金靶材工艺，杂质总含量<0.5ppm。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外，还在低温下有高的导电性能，可用于低温电磁设备。制备化合物半导体的金属如铟、磷，可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属，总金属杂质含量为0.1～1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到≥6的水平。区域提纯后的金属锗，其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器，其分辨率已接近于理论数值。纯金靶材加工-纯金靶材-沈阳东创【精益求精】(查看)由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。沈阳东创贵金属材料有限公司在冶炼加工这一领域倾注了诸多的热忱和热情，东创贵金属一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：赵总。)