DFB芯片的制作工艺非常复杂，DFB激光器，体现了半导体产品在生产制造上的复杂程度，芯片大小可以在成人大拇指上形象地看出来。DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。光纤通讯通讯是DFB的主要应用，如1310nm，1550nmDFB激光器的应用，这里主要介绍非通讯波段DFB激光器的应用。2006年，Cliche等人利用电学反馈的方法将MHz量级的半导体分布式反馈激光器(distributedfeedbacklaser，DFB)降低到kHz量级;2011年，Kessler等人利用低温高稳单晶腔结合有源反馈控制获得40MHz的超窄线宽激光输出;2013年，Peng等人利用腔外法珀腔(Fabry-Perot，FP)反馈调节的方法获得15kHz线宽的半导体激光输出，电学反馈方法主要利用的是Pond-Drever-Hall稳频反馈使得光源激光线宽得到压缩。2010年，Bernhardi等人在氧化硅基底上制作1cm的掺铒氧化铝FBG，获得线宽约为1.7kHz的激光输出。同年，Liang等人针对半导体激光器利用高Q回音壁谐振腔形成的后向瑞利散射自注入反馈进行线宽压缩，如图1所示，终获得160Hz的窄线宽激光输出。激光器的光学共振腔。通常是由具有一定几何形状和光学反射特性的两块反射镜按特定的方式组合而成。作用为：①提供光学反馈能力，使受激辐射光子在腔内多次往返以形成相干的持续振荡。②对腔内往返振荡光束的方向和频率进行限制，以保证输出激光具有一定的定向性和单色性。共振腔作用取决于组成腔的两个反射镜的几何形状（反射面曲率半径）和相对组合方式；给定的共振腔型（其对腔内不同行进方向和不同频率的光，具有不同的选择性损耗特性）。武汉DFB激光器-沐普(图)由武汉沐普科技有限公司提供。武汉DFB激光器-沐普(图)是武汉沐普科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：聂总。)