超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，850SLD激光器，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。高功率SLD（SLED）宽带光源是一款为科学研究和工业生产而设计的高稳定度光源；内置高功率、宽光谱的SLD（SLED）模块。针对SLD（SLED）激光器的特殊性，武汉沐普科技SLD（SLED）光源在电路设计和光路处理上采取了专门的保护措施，避免了电流电压的突变以及回光对SLD（SLED）激光器的损伤，确保光源长期、安全、稳定地工作。SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、980nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求宽光谱范围800-1650nm；·低连贯性；·可选中心波长；·高功率稳定性；·具有优异的光谱平坦度；·可选设备、模块和桌面。光源应用：1.光纤传感系统；2.无源元件生产和测试；3.光纤陀螺；4.光学测试仪器；5.国l防和军l事研究。沐普-湖北850SLD激光器由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是湖北武汉,光电子、激光仪器的见证者，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在沐普科技领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创沐普科技更加美好的未来。)