超辐射发光二极管(SLD)是频域光学相干层析(SD-OCT)成像选择的光源。光谱宽且相干长度短的发射光可提高OCT成像的深度分辨率。SLD设计用于中心波长从770nm至1450nm的OCT应用。SLD发货时带有单独的产品数据表，包含装置的光谱和工作参数信息。如有需要，也可提供每个SLD的原始测试数据；详情了解请联系沐普科技。以上由武汉沐普科技有限公司为您介绍。超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，SLD，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。光源的器件采用的高输出功率SLED，带宽3dB在40nm以上。经过的电路集成后，可以在一个器件中放置多个SLEDs来平坦化输出谱线。的ATC和APC电路通过控制SLED的输出来保证输出功率和谱线的稳定性。通过调节APC，可以在一定范围内调节输出功率。操作和远程控制简单智能。武汉沐普科技可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求湖北SLD-沐普科技光源由武汉沐普科技有限公司提供。“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”选择武汉沐普科技有限公司，公司位于：湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号，多年来，沐普科技坚持为客户提供好的服务，联系人：聂总。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。沐普科技期待成为您的长期合作伙伴！)