武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等SLD的主要的应用：波分复用：波分解复用器件将一宽谱光源分割成许多窄线宽的光波，从而用单一光源代替了传统的激光器光源，实现了单一光源的多波长输出超辐射发光二极管（SLD）是边发射半导体光源。超辐射发光二极管（SLD）具有与输出激光二极管（LD）类似的高输出功率和低光束发散度，但具有更宽的光谱和低相干性，类似于发光二极管（LED）。与LD相比，SLD的具体区别是：有源区内的增益更高，电流密度更高，光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征，都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用，但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作，但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性，普通光隔离器（带宽较窄）无法对其发射光谱完全隔离，因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中，宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。超辐射光源SLD就是加的电流比较高的LED，所以SLD有时候也叫做SLED。SLD的是三个主要参数是功率、光谱范围与光谱调制深度。解释一下光谱调制深度，SLED，光谱调制深度是由于腔面不可完全去除的反射引起的谐振，可以根据公式看出增益是与光子本身的频率有周期性关系的。光谱调制深度的公式，可以看出是与SLD两端反射面的反射率有关，这里R1=R2=R。，当R=0时，调制深度就变为0，调制深度越小越好，在光谱上表现为纹波。武汉SLED-沐普科技(推荐商家)由武汉沐普科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。武汉沐普科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为光电子、激光仪器具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)