沐普科技光源(多图)-武汉SLD
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求。D型宽带光源是低相干性的宽带光源,基于两个容易切换的中心波长的单模光纤耦合SLD模块。SLD模块控制器的设计确保了光源的操作的稳定性。我们可以根据客户的要求订制宽带光源,所有的光源都支持220V和110V交流转换,体积为:254×158×318mm,重量为:6.0kg,测试温度范围为:0°C-+40°C超辐射发光二极管(SLD)是边发射半导体光源。超辐射发光二极管(SLD)具有与输出激光二极管(LD)类似的高输出功率和低光束发散度,但具有更宽的光谱和低相干性,类似于发光二极管(LED)。与LD相比,SLD的具体区别是:有源区内的增益更高,电流密度更高,光子的不均匀性和载流子密度分布更强。SLD具有与LED相似的结构特征,都是通过降低刻面的反射率来抑制激光作用,但是SLD没有LD内置的反射机制用于受激辐射以实现激光输出。SLD本质上是高度优化的LED。虽然SLD可以像低电流水平的LED一样工作,但是它的输出功率在高电流下是超线性地增加。因为其宽光谱的特性,普通光隔离器(带宽较窄)无法对其发射光谱完全隔离,因此需要特殊的宽带宽隔离器与其配套使用。在SLD光源以及应用宽带宽的光学系统中,宽带宽隔离器是保护SLD激光光源的不2选择。SLD的光学带宽通常是几十纳米。对应的相干长度为几十微米。输出的波长通常为800nm,1300nm和1550nm。输出功率在几毫瓦到几十毫瓦之间。由于辐射的光在空间上接近于是衍射极限的,SLD,即空间相干性和光束质量都很高,很容易耦合进光纤中。SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱(低的时间相干性)和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中不可少。例如:在光学相干断层扫描(OCT)中,用于眼角l膜和视网l膜诊断、心血l管造影以及其他生物医学或者生物研究中,需要高空间分辨率、宽带宽的影像,以及在高的信噪比情况下需要比较高的光功率时,需要用SLD。沐普科技光源(多图)-武汉SLD由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司位于湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号。在市场经济的浪潮中拼博和发展,目前沐普科技在光电子、激光仪器中享有良好的声誉。沐普科技取得全网商盟认证,标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。沐普科技全体员工愿与各界有识之士共同发展,共创美好未来。)