一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，1578nmDFB，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。DFB芯片设计：芯片分为P极和N极，当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。半导体激光器激光器优点是体积小，重量轻，运转可靠，耗电少，效率很高等特点。半导体激光器的发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯，当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高半导体激光器的内、外部效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。光纤光栅由于其特殊的优点，近年来在光纤激光器中获得了广泛的应用和研究。常用于光纤激光器的光栅一般是均匀周期分布的光栅。近些年来，随着制作工艺的发展，光纤激光器中各类非均匀光栅的研究和制作逐渐开始得到迅速发展。相移光栅就属于其中的一种非均匀光栅，其可在反射谱阻带中打开一个或多个透射窗口，对波长具有更好的选择性，因此，可用于分布反馈式布拉格DFB(DistributedFeedbackBragg)光纤激光器实现选频和反馈功能，使光纤激光器具有极窄线宽，单频输出特性。本文针对DFB光纤激光器中所用相移光栅进行了研究，对影响激光器性能的相移光栅的相关参数进行了分析，对光纤激光器制作具有一定的指导意义。1578nmDFB-沐普由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！)